| 发明名称 |
半導体記憶装置 |
| 摘要 |
【課題】半導体記憶装置において、チャネルの薄膜化及び高移動度化を実現する。【解決手段】実施の形態の半導体記憶装置は、メモリセルを備える。このメモリセルは、酸化物半導体層と、ゲート電極と、当該酸化物半導体層と当該ゲート電極との間に配置された電荷蓄積層と、を備える。この酸化物半導体層は、ｎ型酸化物半導体層とｐ型酸化物半導体層との積層構造を含む。【選択図】図５Ａ |
| 申请公布号 |
JP2017034144(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
| 申请号 |
JP20150153924 |
申请日期 |
2015.08.04 |
| 申请人 |
株式会社東芝 |
发明人 |
太田 健介;入沢 寿史;河井 友也;松下 大介;手塚 勉 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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