光電変換素子

摘要

半導体と、半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層と、真性層の一部を被覆する、第１導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第１導電型層と、第２導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第２導電型層と、第１導電型層の端部領域を被覆する絶縁膜とを備え、第２導電型層の端部が絶縁膜上または絶縁膜上方に位置している光電変換素子である。