| 摘要 |
본 발명은 도펀트 투입량에 따라 비저항을 정확하게 산출할 수 있는 단결정 잉곳의 비저항 산출방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 융액이 담긴 도가니에 소정의 편석계수를 가진 휘발성 도펀트를 소정량 투입하고, 실리콘 융액으로부터 초크랄스키법에 의해 단결정 잉곳을 성장시키는 단결정 잉곳 성장방법에 있어서, 상기 잉곳의 바디가 성장되기 직전 초기 시점에 도펀트의 초기 휘발량(Eo)을 산출하는 제1단계; 상기 잉곳의 바디가 성장되는 중 특정 시점에 도펀트의 휘발량(E)을 산출하는 제2단계; 상기 제1,2단계에서 산출된 도펀트의 초기 휘발량(Eo)과 도펀트의 휘발량(E)을 합산한 도펀트의 총 휘발량(E)과 도펀트의 투입량(A) 및 도펀트의 편석 계수(k)를 고려하여 특정 시점에 잉곳의 비저항을 산출하는 제3단계;를 더 포함하는 단결정 잉곳의 비저항 산출방법을 제공한다. |
