一种复合型膜电阻器基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加水球磨处理，后将混合粉料置入烘干机中烘干；（3）再将混合粉料中加入模具中，置入烧结炉中烧结，烧结后，梯度降温冷却；本发明的有益效果是：采用两段式粉碎研磨，使粉料更加精细，制备的基板组分更加均匀，并在烧结后采用梯度式冷却，减少基板的裂隙瑕疵。

主权项

一种复合型膜电阻器基板的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为：（1）将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合，置入粉碎机中，加入混合物等质量的乙醇进行粉碎，粉碎2‑3小时后置入烘干机烘干；（2）将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1‑2倍质量的水，进行球磨处理，球磨10‑12小时后，将混合粉料置入烘干机中在140‑160℃烘干；（3）再将混合粉料中加入模具中，置入烧结炉中在1600‑1800℃下烧结，烧结60‑80分钟后，先降温至1000℃，再降温至400℃，最后自然冷却。