发明名称 |
SEMICONDUCTOR COMPONENT AND ILLUMINATION DEVICE |
摘要 |
본 발명은, 제 1 첨두 파장(peak wavelength)을 갖는 1차 방사선을 발생하기 위해 제공된 반도체 칩(2) 및 상기 반도체 칩(2) 상에 배치되어 있는 방사선 변환 소자(3)를 구비한 반도체 컴포넌트(1)와 관련이 있다. 상기 방사선 변환 소자(3)는 상기 1차 방사선을 적어도 부분적으로 제 2 첨두 파장을 갖는 2차 방사선으로 변환하는 양자 구조물(quantum structure)(30) 및 상기 1차 방사선에 대해 투과성을 갖는 기판(35)을 포함한다. 본 발명은 계속해서 이와 같은 유형의 반도체 컴포넌트(1)를 구비한 조명 장치(11)에 관한 것이다. |
申请公布号 |
KR20170013910(A) |
申请公布日期 |
2017.02.07 |
申请号 |
KR20167036041 |
申请日期 |
2015.05.22 |
申请人 |
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 |
发明人 |
바우어, 아담;묀히, 볼프강;라크츠, 다비드;비트만, 미하엘;슐텐, 도미니크;뢰플러, 안드레아스 |
分类号 |
H01L33/50;F21K9/64;F21Y115/10;H01L25/075;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/48 |
主分类号 |
H01L33/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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