发明名称 SEMICONDUCTOR COMPONENT AND ILLUMINATION DEVICE
摘要 본 발명은, 제 1 첨두 파장(peak wavelength)을 갖는 1차 방사선을 발생하기 위해 제공된 반도체 칩(2) 및 상기 반도체 칩(2) 상에 배치되어 있는 방사선 변환 소자(3)를 구비한 반도체 컴포넌트(1)와 관련이 있다. 상기 방사선 변환 소자(3)는 상기 1차 방사선을 적어도 부분적으로 제 2 첨두 파장을 갖는 2차 방사선으로 변환하는 양자 구조물(quantum structure)(30) 및 상기 1차 방사선에 대해 투과성을 갖는 기판(35)을 포함한다. 본 발명은 계속해서 이와 같은 유형의 반도체 컴포넌트(1)를 구비한 조명 장치(11)에 관한 것이다.
申请公布号 KR20170013910(A) 申请公布日期 2017.02.07
申请号 KR20167036041 申请日期 2015.05.22
申请人 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 发明人 바우어, 아담;묀히, 볼프강;라크츠, 다비드;비트만, 미하엘;슐텐, 도미니크;뢰플러, 안드레아스
分类号 H01L33/50;F21K9/64;F21Y115/10;H01L25/075;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/48 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
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