ADVANCED ELECTRONIC DEVICE STRUCTURES USING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND SUPERLATTICES

摘要

반도체 구조물과 이 반도체 구조물을 형성하는 방법이 개시된다. 예를 들어, p-형 또는 n-형 반도체 구조물이 개시된다. 상기 반도체 구조물은 상기 극성 결정 구조의 자발적인 분극 축과 실질적으로 평행한 성장 축을 갖는 극성 결정 구조를 구비한다. 상기 반도체 구조물은 더 넓은 대역 갭(WBG) 물질로부터 더 좁은 대역 갭(NBG) 물질로 또는 NBG 물질로부터 WBG 물질로 조성이 변하여 상기 성장 축을 따라 p-형 또는 n-형 전도성을 유도한다.