发明名称 半導体装置
摘要 【課題】半導体装置のガラス層におけるクラックの発生を抑制する。【解決手段】第1の面と該第1の面に配置された第1の電極とを有する第1の回路基板と、第1の面と対向して配置された第2の面と該第2の面に配置された第2の電極とを有する第2の回路基板と、第1の面と第2の面との間に挟まれたガラス層と、ガラス層内に配置され第1の電極と第2の電極とにそれぞれ電気的に接続された半導体素子と、を備える半導体装置において、ガラス層には、第1の回路基板からガラス層に加えられる応力と第2の回路基板からガラス層に加えられる応力との和として、縁部から部に向かう方向に圧縮応力が加えられている。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028003(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150142700 申请日期 2015.07.17
申请人 日本特殊陶業株式会社 发明人 木村 健志;坪井 良樹
分类号 H01L23/13;H01L23/15;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/34;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;H05K1/14 主分类号 H01L23/13
代理机构 代理人
主权项
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