| 发明名称 |
スズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法 |
| 摘要 |
本発明は、スズ金属ターゲットを利用してガラス基板の上にスズ酸化物層を形成するスズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法に関する。本発明は、ガラス基板の上にスズ金属ターゲットを利用したスパッタリングでスズ酸化物バッファー層（ＳｎＯ２）を形成する段階と、スズ酸化物バッファー層上にスズ金属ターゲットを利用したスパッタリングでスズ酸化物半導体層（ＳｎＯ２−ｘ）（０＜ｘ≦０．０１）を形成する段階とを含むスズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法を提供する。【選択図】 図１ |
| 申请公布号 |
JP2017504178(A) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
| 申请号 |
JP20160521342 |
申请日期 |
2015.11.25 |
| 申请人 |
アールエフトロン カンパニー リミテッドＲＦＴＲＯＮ ＣＯ．，ＬＴＤ． |
发明人 |
チャ・ククリン;イム・ジソン |
| 分类号 |
H01L21/363;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/363 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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