发明名称 |
一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法 |
摘要 |
本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法,包括下列步骤:由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子;负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子;所述正离子通过加速后,通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流;在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法,通过在能量筛选电磁场后,增加一个对束流垂直偏转方向的电场,筛选出需要的能量源种束流,将不满足能量要求的金属等注入消除,从而降低金属污染。 |
申请公布号 |
CN106373846A |
申请公布日期 |
2017.02.01 |
申请号 |
CN201611009755.3 |
申请日期 |
2016.11.16 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
时锋;赖朝荣;王智;苏俊铭 |
分类号 |
H01J37/147(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/147(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法,其特征在于,包括下列步骤:由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子;负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子;所述正离子通过加速后,通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流;在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |