電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム

摘要

【課題】優れたＴＦＴ特性を示し、かつ、その状態が保護層形成工程を経ても維持され、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さい電界効果型トランジスタの提供。【解決手段】基材と、保護層と、前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、前記保護層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第一の複合金属酸化物を含有し、前記ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタである。【選択図】図３Ａ