| 发明名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种FinFET及其制造方法，其中该制造FinFET的方法，包括：形成半导体鳍片；形成源区和漏区中的一个；形成牺牲侧墙；以牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区中的另一个；去除牺牲侧墙；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体鳍片隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103855027B | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201210520949.5 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种制造FinFET的方法，包括：形成半导体鳍片；形成第一掩蔽层，并以该第一掩蔽层为掩模，形成源区和漏区中的一个；形成与第一掩蔽层邻接的第二掩蔽层，并去除第一掩蔽层以暴露第二掩蔽层的一个侧壁；在第二掩蔽层的暴露的侧壁上形成牺牲侧墙；以第二掩蔽层和牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区中的另一个；去除牺牲侧墙；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体鳍片隔开。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||