发明名称 Leistungsmodul
摘要 Leistungsmodul (1), das aufweist: – ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat (10) mit einer Hochachse (H), das einen keramischen Werkstoff aufweist oder aus einem keramischen Werkstoff besteht, – eine elektrisch leitende erste Leiterbahn (HV_P), die auf einer ersten Oberfläche des Trägersubstrats (10) angeordnet ist, – eine elektrisch leitende zweite Leiterbahn (PHASE), die auf der ersten Oberfläche des Trägersubstrats (10) angeordnet ist, – zumindest ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (20), das zumindest einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss aufweist, wobei der erste Anschluss auf einer der ersten Leiterbahn (HV_P) zugewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements (20) angeordnet ist und der zweite Anschluss auf einer der ersten Leiterbahn (HV_P) abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements (20) und der erste Anschluss mit der ersten Leiterbahn (HV_P) elektrisch verbunden ist, – zumindest ein zweites Leistungshalbleiterbauelement (30), das zumindest einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss aufweist, wobei der erste Anschluss auf einer der zweiten Leiterbahn (PHASE) zugewandten Seite des zweiten Leistungshalbleiterbauelements (30) angeordnet ist und der zweite Anschluss auf einer der zweiten Leiterbahn (Phase) abgewandten Seite des zweiten Leistungshalbleiterbauelements (30) und der erste Anschluss mit der zweiten Leiterbahn (PHASE) elektrisch verbunden ist, – eine elektrisch leitende planare Verbindung (40), die den zweiten Anschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements (20) elektrisch verbindet mit der zweiten Leiterbahn (PHASE), – eine Isolationsschicht (50), – eine elektrisch leitende dritte Leiterbahn (HV_M), wobei – die dritte Leiterbahn (HV_M) auf einer dem Trägersubstrat (10) abgewandten Seite der Isolationsschicht (50) angeordnet ist, – der zweite Anschluss des zweiten Leistungshalbleiterbauelements (30) elektrisch verbunden ist mit der dritten Leiterbahn (HV_M), – die Isolationsschicht (50) derart ausgebildet und angeordnet ist, dass sie die dritte Leiterbahn (HV_M) elektrisch isoliert von der ersten (HV_P) und zweiten Leiterbahn (PHASE), – die erste Leiterbahn (HV_P) und die dritte Leiterbahn (HV_M) in Richtung der Hochachse (H) zumindest teilweise überlappend angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass – die Isolationsschicht (50) als Folie ausgebildet ist.
申请公布号 DE102011089740(B4) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 DE20111089740 申请日期 2011.12.23
申请人 Conti Temic microelectronic GmbH 发明人 Hövermann, Markus
分类号 H01L23/498;H01L23/14;H01L25/18 主分类号 H01L23/498
代理机构 代理人
主权项
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