发明名称 半導体装置
摘要 【課題】ヤング率の小さい第1半導体チップの接続信頼性を向上しつつ、半導体チップ間の伝熱を抑制できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、第1半導体チップ13、第1半導体チップよりもヤング率が大きい材料を用いて形成された第2半導体チップ14、一面15a上に第1半導体チップ及び第2半導体チップがX方向に並んで配置され、第1半導体チップ及び第2半導体チップの熱が伝達されるヒートシンク15、第1半導体チップ、第2半導体チップ、及びヒートシンクの一面を一体的に封止する封止樹脂体19を備える。ヒートシンクは、X方向において、第1半導体チップの配置領域である第1領域15dと第2半導体チップの配置領域である第2領域15eとの間の位置に形成された貫通孔15cを有する。封止樹脂体は、一面を被覆する被覆部19eと、被覆部に連なり、貫通孔内に充填された充填部19fを有する。【選択図】図6
申请公布号 JP2017011028(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20150122984 申请日期 2015.06.18
申请人 株式会社デンソー 发明人 大前 翔一朗;小野田 憲司
分类号 H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/29
代理机构 代理人
主权项
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