发明名称 MEMORY DEVICE CONTROLLER OF AND OPERATING METHOD THEREOF
摘要 본 기술은 반도체 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 본 기술의 실시 예에 따른 복수의 페이지들로 구성된 메모리 셀 어레이를 포함하는 반도체 메모리 장치의 컨트롤러는, 호스트로부터 수신한 데이터를 저장할 논리 주소를 상기 복수의 페이지 중 어느 하나를 가리키는 물리 주소로 변환하고, 상기 물리 주소 및 기 저장된 패리티 관련 정보를 기초로 패리티 비트를 생성하기 위한 동작 모드를 결정하는 메모리 제어부 및 상기 동작 모드에 따라 상기 데이터의 패리티 비트들을 생성하는 오류 정정 코드 회로를 포함한다.
申请公布号 KR20170004693(A) 申请公布日期 2017.01.11
申请号 KR20150095391 申请日期 2015.07.03
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 박민상;박석광;이윤봉;조성훈;최길복
分类号 G11C29/42;G06F11/10;G11C16/04;G11C16/34;G11C29/00 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人
主权项
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