| 摘要 |
고품질의 질화물 반도체를 갖는 자외선 LED 용도에 적합한, 도전성을 갖는 투명한 질화물 반도체 템플릿 및 그것을 사용해서 제조되는 자외선 LED를 제공한다. GaO기판(11)과, 그 위에 형성된, AlN을 주성분으로 하는 버퍼층(12)과, 그 위에 형성된, AlGaN(0.2<x≤1)을 주성분으로 하는 제1 질화물 반도체층(13)과, 그 위에 형성된, AlGaN(0.2≤y≤0.55, y<x)을 주성분으로 하는 제2 질화물 반도체층(14)과, 그 위에 형성된, InAlGaN(0.02≤u1≤0.03, u1+v1+w1=1)층의 양면을 InAlGaN(0.02≤u2≤0.03, u2+v2+w2=1, v1+0.05≤v2≤v1+0.2)층으로 끼운 구조를 포함하는 다층 구조를 갖는 제3 질화물 반도체층(15)을 갖는 질화물 반도체 템플릿(10)을 제공한다. |
