| 摘要 |
【課題】 ＳＯＩウェーハ製造工程の熱処理工程やデバイス製造工程の熱処理工程を通っても単結晶化が進まないように多結晶シリコン層を堆積することができるとともに、多結晶シリコン層堆積工程のスループットを向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ベースウェーハに多結晶シリコン層を堆積する工程と、ボンドウェーハに絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介して多結晶シリコン層の研磨面とボンドウェーハを貼り合わせる工程と、ボンドウェーハを薄膜化する工程とを有し、ベースウェーハとして１００Ω・ｃｍ以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、多結晶シリコン層を堆積する工程は、ベースウェーハの多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の厚さで形成する段階をさらに含み、多結晶シリコン層の堆積を１０５０℃以上、１２００℃以下の温度で行う貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。【選択図】 図１ |
