发明名称 一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料及其制备方法和应用
摘要 本发明涉及一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法,在空白导电玻璃基底上通过水热生长初级ZnO纳米线阵列结构,再在其上通过胶体修饰过程负载一层ZnO纳米粒子,以修饰后的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应,即得到树枝状ZnO纳米线阵列结构材料。本发明制备方法具有设备简单、操作方便、反应条件温和等优点,极大降低生产成本,利于规模化生产。
申请公布号 CN103871745B 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201410077938.3 申请日期 2014.03.05
申请人 北京大学 发明人 王东;陈燕;邱建航;郭敏;刘丽丽
分类号 H01G9/042(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01G9/042(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 王文君
主权项 一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)向硝酸锌和六亚甲基四胺组成的混合溶液中30‑60°斜插浸入空白导电玻璃,水热反应得到初级ZnO纳米线阵列;2)以Zn(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>胶体修饰步骤1)得到的初级ZnO纳米线阵列;取适量的Zn(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>胶体于已生长ZnO纳米线阵列的FTO导电玻璃上,将导电玻璃置于台式匀胶机上以3000r·min<sup>‑1</sup>的转速甩胶30s后可在初级ZnO纳米线阵列结构表面形成一层均匀的胶膜,将带有胶膜的FTO基底放置在马弗炉中以300℃条件下退火10min后,可在初级ZnO纳米线阵列结构表面上生成一层ZnO纳米粒子;所述Zn(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>胶体浓度为0.2‑0.5mol/L;3)以已修饰的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应;将已修饰的ZnO纳米线阵列的FTO导电玻璃斜插浸入硝酸锌和六亚甲基四胺组成的混合溶液中,进行第二次水热反应;所述水热反应温度90‑120℃;所述水热反应时间0.5‑2h;所述混合溶液中硝酸锌和六亚甲基四胺的浓度均为0.02‑0.08mol/L。
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