| 发明名称 | 一种高K金属栅的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高K金属栅的形成方法，包括：第一步骤：在衬底上依次形成层间介质层、TiO2薄膜层和多晶硅层；第二步骤：对层间介质层、TiO2薄膜层和多晶硅层进行图案化以形成伪栅极结构，并且在伪栅极结构侧边形成栅极侧墙；第三步骤：在伪栅极结构周围沉积层间电介质材料，并对层间电介质材料进行平坦化；第四步骤：去除伪栅极结构中的顶部多晶硅层以形成凹槽；第五步骤：对伪栅极结构中的TiO2薄膜层进行Hf离子注入，以形成HfTiO薄膜层；第六步骤：在凹槽中填充金属材料以形成金属栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN106298491A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610984923.4 | 申请日期 | 2016.11.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 刘英明;鲍宇;周海锋;方精训 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种高K金属栅的形成方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次形成层间介质层、TiO2薄膜层和多晶硅层；第二步骤：对层间介质层、TiO2薄膜层和多晶硅层进行图案化以形成伪栅极结构，并且在伪栅极结构侧边形成栅极侧墙；第三步骤：在伪栅极结构周围沉积层间电介质材料，并对层间电介质材料进行平坦化；第四步骤：去除伪栅极结构中的顶部多晶硅层以形成凹槽；第五步骤：对伪栅极结构中的TiO2薄膜层进行Hf离子注入，以形成HfTiO薄膜层；第六步骤：在凹槽中填充金属材料以形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||