发明名称 |
堆叠微电子装置及用于制造堆叠微电子装置的方法 |
摘要 |
本文揭示堆叠微电子装置及用于制造堆叠微电子装置的方法。在一个实施例中,一种制造微电子装置的方法包括:在第一微电子裸片的前侧上形成多个电隔离的多层金属间隔件;及将第二微电子裸片的后侧表面附接到个别金属间隔件。在另一实施例中,所述制造所述微电子装置的方法可进一步包括:在所述第一裸片的前侧引线接合上形成顶层间隔件元件。 |
申请公布号 |
CN106298748A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610963938.2 |
申请日期 |
2008.07.29 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
埃德蒙·坤典·赖;廖世雄;李俊光 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种微电子装置,其包含:第一微电子裸片,其具有集成电路、带有接合位点的前侧及耦合到所述接合位点的引线接合;位于所述第一微电子裸片的所述前侧的导电金属间隔件位点,其中,所述间隔件位点与所述第一裸片的集成电路电隔离,且与所述第一微电子裸片的所述前侧基本共面;第二微电子裸片,其具有集成电路以及后侧;以及多个金属间隔件,其插入于所述第一裸片与所述第二裸片之间,其中个别金属间隔件附接至相应的金属间隔件位点,且与所述第二裸片的后侧表面上的相应的非导电部分直接接触,且其中所述金属间隔件与所述第一裸片和所述第二裸片的所述集成电路电隔离。 |
地址 |
美国爱达荷州 |