| 发明名称 | 基于低温多晶硅的阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于低温多晶硅的阵列基板的制作方法，包括：制作绝缘层；在所述绝缘层上制作金属层，并在所述金属层上刻蚀形成第一图案；在所述第一图案上涂布一层平坦层，并沿所述平坦层的长度方向在所述平坦层上挖出包括贯穿其厚度方向的长槽的第二图案；在所述平坦层上覆盖一层透明导电层，并刻蚀出第三图案。本发明还公开了一种基于低温多晶硅的阵列基板。本发明通过在平坦层上制作出具有贯穿其厚度方向的长槽的第二图案，使得阵列基板的公共电极层与漏极之间能够更方便、可靠地制作出连接二者的下沉部分，增加了下沉部分与漏极之间的接触面积，减小了接触阻抗，降低源极、漏极与公共电极的接触不良率，进而改善了显示效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106206617A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610763642.6 | 申请日期 | 2016.08.29 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 张嘉伟;曾霜华 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰 |
| 主权项 | 一种基于低温多晶硅的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：制作绝缘层(10)；在所述绝缘层(10)上制作金属层(20)，并在所述金属层(20)上刻蚀形成第一图案；在所述第一图案上涂布一层平坦层(30)，并沿所述平坦层(30)的长度方向在所述平坦层(30)上挖出包括贯穿其厚度方向的长槽(300)的第二图案；在所述平坦层(30)上覆盖一层透明导电层(40)，并刻蚀出第三图案。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||