用于拉伸应变应用上的高拉伸硅合金的外延法

摘要

本发明的实施例大体上涉及用于在半导体器件上形成硅外延层的方法。这些方法包括在增加的压力与降低的温度下在衬底上形成硅外延层。所述硅外延层具有每立方厘米约1x10²¹个原子或更大的磷浓度，并且不添加碳而形成所述硅外延层。每立方厘米约1x10²¹个原子或更大的磷浓度增加沉积层的拉伸应变，而因此所述磷浓度改善沟道迁移率。因为外延层实质上无碳，所以外延层不会遭受通常与含碳外延层有所关联的膜形成与质量问题。

主权项

一种在衬底上形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：将衬底定位于处理腔室内；加热所述衬底达一温度，所述温度是在从550摄氏度至750摄氏度的范围内；将一或多种工艺气体导进所述处理腔室，所述一或多种工艺气体包含硅源以及磷源；以及在所述衬底上沉积包含Si₃P₄的实质上无碳的外延层，所述实质上无碳的外延层具有磷浓度，所述磷浓度为每立方厘米3x10²¹个原子或更大，其中所述实质上无碳的外延层在150托至600托的腔室压力下沉积。