| 发明名称 | 异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法。一种异质结半导体装置包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层。所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。 | ||
| 申请公布号 | CN106169507A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610319919.6 | 申请日期 | 2016.05.13 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 大川峰司 |
| 分类号 | H01L29/808(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L27/098(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/808(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;范琏 |
| 主权项 | 一种异质结半导体装置，其特征在于包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在所述势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层，其中所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||