| 发明名称 | 一种QLED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种QLED及其制备方法。制备方法包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含一层用于增大功函数的界面修饰层。本发明通过在阴极中增加一层界面修饰层，从而增加电极的功函数，增加注入势垒，使得电子空穴在量子点发光层能更好的平衡，增加有效复合概率，从而增强QLED发光性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106159108A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610801474.5 | 申请日期 | 2016.09.05 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 刘佳 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种QLED的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含用于增大功函数的界面修饰层。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||