发明名称 |
MOSFET器件的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种MOSFET器件的制作方法,其特征在于,包括:在基底上形成掩膜层;以掩膜层为掩膜,对基底进行刻蚀,同时形成第一沟槽和第二沟槽;在第一沟槽中形成第一填充层,且在第一填充层上形成遮挡层;以遮挡层和掩膜层为掩膜,对第二沟槽进行刻蚀,以使第二沟槽的深度增大到预设深度,形成第三沟槽;在第三沟槽中形成第二填充层。根据本发明的MOSFET器件的制作方法,通过同时形成第一沟槽和第二沟槽,接着仅对第二沟槽进行刻蚀以形成第三沟槽,进而形成了深槽和浅槽,能够避免形成深槽和浅槽时光刻对准偏差对于MOSFET器件的影响,优化MOSFET器件的制作工艺,简化流程,降低成本。 |
申请公布号 |
CN106158629A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510128889.6 |
申请日期 |
2015.03.23 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
赵圣哲 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
张莲莲;黄健 |
主权项 |
一种MOSFET器件的制作方法,其特征在于,包括:在基底上形成掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,对所述基底进行刻蚀,同时形成所述第一沟槽和所述第二沟槽;在所述第一沟槽中形成第一填充层,且在所述第一填充层上形成遮挡层;以所述遮挡层和所述掩膜层为掩膜,对所述第二沟槽进行刻蚀,以使所述第二沟槽的深度增大到预设深度,形成第三沟槽;在所述第三沟槽中形成第二填充层。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 |