| 摘要 |
게이트 구조물 및 게이트 구조물의 형성 방법이 기재된다. 일부 실시예에서, 방법은, 기판에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계, 및 소스/드레인 영역들 사이에 게이트 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 게이트 구조물은, 기판 위의 게이트 유전체 층, 게이트 유전체 층 위의 일함수 조정 층, 일함수 조정 층 위의 제1 금속, 제1 금속 위의 접착 층, 및 접착 층 위의 제2 금속을 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 층은 제1 금속과 제2 금속의 합금을 포함할 수 있고, 제1 및 제2 금속을 어닐링함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 접착 층은, 제1 및/또는 제2 금속 중의 적어도 하나의 산화물을 포함할 수 있고, 제1 금속을 산소 함유 플라즈마 또는 자연 환경에 노출시킴으로써 적어도 부분적으로 형성될 수 있다. |
