磊晶晶圆以及发光二极管

摘要

本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。

主权项

一种磊晶晶圆，包括：发光层，其由将以化学式(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层为积层而成，其中0≦x≦1，0≦y≦1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，其中，该活性层为将阱层及障壁层为交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≦x≦0.45，0＜y＜1。