非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法

摘要

本发明揭示一种非易失性存储器单元，其包含第一及第二电极。可编程材料及选择装置以串联方式被接纳于所述第一及第二电极之间且与所述第一及第二电极串联。电流传导材料以串联方式位于所述可编程材料与所述选择装置之间且与所述可编程材料及所述选择装置串联。本发明揭示一种此类非易失性存储器单元的垂直堆叠层的阵列。本发明揭示形成非易失性存储器单元的阵列的方法。

主权项

一种非易失性存储器单元的垂直堆叠层的阵列，其包括：多个水平定向的第一电极线，其位于个别的存储器单元层内；多个水平定向的全局第二电极线，其具有延伸通过多个所述存储器单元层的局部垂直第二电极线延伸部；以及所述存储器单元的个别者，其包括：交叉的一个水平第一电极线及一个局部垂直第二电极线延伸部；可编程材料、与所述可编程材料串联的选择装置，以及与所述可编程材料及所述选择装置串联且以串联方式位于所述可编程材料及所述选择装置之间的电流传导材料；所述可编程材料及所述选择装置与所述交叉的一个水平第一电极线及一个局部垂直第二电极线延伸部串联；以及所述可编程材料及所述选择装置经定向以沿水平方向分别使从所述可编程材料或选择装置的一者流出的主要电流流入所述交叉的一个局部垂直第二电极线延伸部或使从所述交叉的一个局部垂直第二电极线延伸部流出的主要电流流入所述可编程材料或选择装置的一者，及沿垂直方向分别使从所述可编程材料及所述选择装置的另一者流出的主要电流流入所述交叉的一个水平电极线或使从所述交叉的一个水平电极线流出的主要电流流入所述可编程材料及所述选择装置的另一者，所述存储器单元的个别者中的所述可编程材料及所述选择装置的另一者在高度上位于所述电流传导材料的上方。