| 发明名称 | 一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。 | ||
| 申请公布号 | CN106024583A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610318292.2 | 申请日期 | 2016.05.13 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 王雪文;苏星星;吴朝科;李婷婷;翟春雪;赵武;张志勇;胡峰 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 孙雅静 |
| 主权项 | 一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，其特征在于，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长。 | ||
| 地址 | 710069 陕西省西安市太白北路229号 | ||