摘要 |
본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극, 기판상에 위치하는 전압 배선, 제1 게이트 전극 및 전압 배선 위에 위치하는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 위치하며, 산화물 반도체 물질로 이루어지는 반도체 패턴, 반도체 패턴 위에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 위에 위치하는 제1 보호막 및 제1 보호막 위에 위치하고, 전압 배선과 연결되어 있는 제1 전극을 포함한다. |