| 发明名称 | 分段沟道晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种分段沟道晶体管及其形成方法，所述分段沟道晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一外延层和第一外延层表面的第二外延层；图形化第二外延层，形成若干第一开口；沿第一开口刻蚀所述第一外延层，去除所述第一开口底部的第一外延层以及第一开口两侧的第二外延层下方的部分第一外延层，形成第二开口；在所述第二开口内形成介质层，所述介质层的表面低于第二外延层的表面并且部分第二外延层与半导体衬底之间通过介质层隔离；形成横跨所述介质层和第二外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成源极和漏极。所述分段沟道晶体管的形成方法可以降低晶体管的寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104078356B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201310105855.6 | 申请日期 | 2013.03.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种分段沟道晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一外延层；在所述第一外延层表面形成第二外延层；图形化所述第二外延层，形成若干第一开口，暴露出第一外延层的部分表面；沿第一开口刻蚀所述第一外延层，去除所述第一开口底部的第一外延层以及位于所述第一开口两侧的第二外延层下方的部分第一外延层，形成第二开口，使部分第二外延层悬空，减少第一外延层与第二外延层、半导体衬底之间的接触面积；在所述第二开口内形成介质层，所述介质层的表面低于第二外延层的表面并且部分第二外延层与半导体衬底之间通过介质层隔离；形成横跨所述介质层和第二外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧的第二外延层内形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||