一种提高半导体激光器可靠性的制备方法

摘要

一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。本发明基于P电极与芯片外延层的肖特基接触原理，通过一次刻蚀工艺同时去除脊形台面以外的欧姆接触层和去除腔面处的欧姆接触层引入非注入区窗口结构，形成肖特基接触层，达到防止激光器中双沟区两侧漏电、提器件可靠性以及提高COD阈值的目的。本发明只采用一次光刻工艺，制备工艺简单，适用范围广泛且兼容性强，可以与其它特殊工艺相结合，以进一步提高半导体激光器的性能。

主权项

一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，其特征在于，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。