发明名称 | 一种碳纳米管-SiC薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种碳纳米管‑SiC薄膜的制备方法,包括以下步骤:将过渡金属衬底和碳纳米管粉体置于真空反应系统中,碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米‑20纳米,采用氩气分别作为碳纳米管粉体载气体和三氯甲基硅烷载气体,氢气作为反应气体,在除去真空腔内氧气的情况下,维持室内真空度1‑1000Pa,并升温至800‑1200℃,将氢气注入真空腔中,流量为100‑500mL/min,分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中,流量分别为10‑100ml/min和100‑500ml/min,碳纳米管粉末供给速度为10‑100mg/min,同时保持氢气流量,保温1‑5h,降温速率为5‑20℃/min。本发明有益效果主要在于提高了SiC薄膜的高温抗氧化,抗烧蚀性能。 | ||
申请公布号 | CN105970185A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
申请号 | CN201610281612.1 | 申请日期 | 2016.04.22 |
申请人 | 苏州派欧技术咨询服务有限公司 | 发明人 | 陈照峰;潘影;;余盛杰 |
分类号 | C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种碳纳米管‑SiC薄膜的制备方法,其特征在于将过渡金属衬底和碳纳米管粉体置于真空反应系统中,碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米‑20纳米,采用氩气分别作为碳纳米管粉体载气体和三氯甲基硅烷载气体,氢气作为反应气体,在除去真空腔内氧气的情况下,维持室内真空度1‑1000Pa,并升温至800‑1200℃,将氢气注入真空腔中,流量为100‑500mL/min,分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中,流量分别为10‑100ml/min和100‑500ml/min,碳纳米管粉末供给速度为10‑100mg/min,同时保持氢气流量,保温1‑5h,降温速率为5‑20℃/min。 | ||
地址 | 215400 江苏省太仓市人民南路162号 |