一种ITO薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，属于ITO薄膜制造技术领域。在真条件下，将基片依次经过去离子水、碱液、丙酮、乙醇、去离子水清洗后，烘干保存；然后进行预溅射；在真空度为1X10^‑6torr和衬底转速为12～18r/min条件下，通入氩气和氧气，在溅射压强为2mTorr～5mTorr、设置靶与基片间距为10～20cm溅射10～15min，然后加热基片控制在沉积温度为20～200℃条件下沉积15～20min获得镀膜基片；冷却退火：将得到的镀膜基片在退火温度为300～500℃条件下退火40～120min，冷却后得到镀覆ITO薄膜的基片。该方法工艺简单，制作成本低，ITO薄膜性能稳定，能够为OLED制作提供高质量的ITO玻璃的ITO薄膜制造工艺。

主权项

一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：（1）基片预处理：在真条件下，将基片依次经过去离子水、碱液、丙酮、乙醇、去离子水清洗后，烘干保存；（2）预溅射：在真空度为1X10^‑6torr条件下，衬底转速为12～18r/min，预溅射2～5min，清洗靶面；（3）溅射镀膜：在真空度为1X10^‑6torr和衬底转速为12～18r/min条件下，按照氩氧体积比为16:0～16:1.2通入氩气和氧气，在溅射压强为2mTorr～5mTorr、设置靶与基片间距为10～20cm、溅射功率为250W～350W溅射10～15min，然后加热基片控制在沉积温度为20～200℃条件下沉积15～20min获得镀膜基片；（4）冷却退火：将步骤（3）得到的镀膜基片在退火温度为300～500℃条件下退火40～120min，冷却后得到镀覆ITO薄膜的基片。