半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的浅沟槽隔离，其特征在于：衬底与浅沟槽隔离之间还包括应力释放层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过在衬底与STI之间增加材质较软的应力释放层，将STI形成过程中积累的应力释放出来，减小了器件的衬底泄漏电流，提高了器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成在600℃的低温下其粘性就降低的应力释放层，应力释放层在浅沟槽的底面和侧表面上；在浅沟槽中填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离，绝缘材料在应力释放层上，应力释放层包围绝缘材料；退火，使得应力释放层流变以释放应力。