基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法

摘要

本发明提供一种基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法，利用FPGA强大的逻辑运算和方便的时序电路设计能力，巧妙地设计控制开关Act_A、Act_B……Act_N寄存器型变量作为MCU_1、MCU_2……MCU_N选通NANDFlash的开关，Act_A、Act_B……Act_N只有高低电平两种状态，彼此互锁，同一时刻只能有一个控制开关为高电平状态，保证同一时刻只有一个MCU读写NANDFlash；利用FPGA作为中间桥梁，不仅简化了硬件电路结构，降低了成本，也解决了越来越多的电子设备以及工业领域中多MCU访问存储设备冲突的问题；同时FPGA又能方便地进行时序电路的设计，使得多MCU读写NANDFlash的控制程序具有广泛的移植性，大大简化了编程的难度。

主权项

基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法，其特征在于包括以下步骤：1)硬件设计上采用FPGA作中间桥梁，将多个MCU模块分布于FPGA周围，以总线方式与FPGA进行数据交换；2)软件上实现多MCU模块读写NANDFlash的控制，在FPGA中首先进行寻址设计，通过MCU模块与FPGA通讯地址总线的高四位地址和地址锁存信号ALE设计16个片选信号CS[16]，片选信号CS[16]负责选通需要读写的MCU模块；利用MCU模块的低五位地址和地址锁存信号ALE设计32个寻址信号MCUportL[32]，寻址信号MCUportL[32]负责选通每个MCU模块里的读写控制；3)在FPGA中的NANDFlash读写模块中，设计控制开关Act_A、Act_B……Act_N寄存器型变量作为MCU_1、MCU_2……MCU_N选通NANDFlash的开关，控制开关Act_A、Act_B……Act_N只有高低电平两种状态，彼此互锁，同一时刻只能有一个为高电平状态，保证同一时刻只有一个MCU读写NANDFlash。