发明名称 一种MEMS半导体气体传感器及其制造方法、及气体检测方法
摘要 本发明涉及气体检测用传感器,具体是一种MEMS半导体气体传感器,包括具有中空部的衬底和形成于衬底上的感测模块,所述感测模块包括依次层叠设置的第一绝缘层、加热电阻、第二绝缘层、测试电极和气体敏感层;所述传感器还包括控制模块和温度检测模块,温度检测模块、加热电阻和测试电极分别与所述控制模块连接;温度检测模块用于检测环境温度并将环境温度反馈至控制模块,控制模块根据环境温度调整加热电阻的加热功率,进而控制气体敏感层的温度至所需的工作温度。该传感器减小甚至消除了由于环境温度变化对气体敏感层造成的不利影响,保证了气体传感器的性能。本发明还提供了该气体传感器的制造方法及基于该传感器的检测方法。
申请公布号 CN104034759B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201410244751.8 申请日期 2014.06.04
申请人 苏州能斯达电子科技有限公司 发明人 祁明锋;张珽;刘瑞;沈方平;丁海燕;谷文
分类号 G01N27/14(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G01N27/14(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫
主权项 一种MEMS半导体气体传感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在衬底上加工形成中空部;S2、在所述中空部上覆盖第一绝缘层,然后在第一绝缘层上依次向上制作加热电阻、第二绝缘层、测试电极和气体敏感层,制得感测模块;S3、在衬底上制作测温电阻,制得温度检测模块;S4、在衬底上制作ASIC电路,并预留出信号接口,制得控制模块;S5、将所述加热电阻、测试电极和测温电阻通过桥接的方式或引线绑定的方式分别与ASIC电路连接。
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