一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及导电氧化物，特指一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法。其配方为：SnO₂91～98wt.％，Sb₂O₃ 0.1～6.0wt.％，Bi₂WO₃0.01～2wt.％,Ba(Yb_1/2Nb_1/2)O₃0.1～4wt.％，SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)0.1～2.8wt.％。所制备的导电陶瓷材料导电性能好，电阻率小于10mΩ·cm；体积密度较高，为5.9g/cm³以上；烧结温度较低，烧结温度不大于1250℃；该导电陶瓷适合于制备玻璃电熔窑炉用高性能电极材料和利用磁控溅射制备导电薄膜的陶瓷靶材。

主权项

一种低温烧结的导电陶瓷材料，其特征在于所述导电陶瓷材料配方组成为：SnO₂91～98wt.％，Sb₂O₃ 0.1～6.0wt.％，Bi₂WO₃0.01～2wt.％,Ba(Yb_1/2Nb_1/2)O₃0.1～4wt.％，SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)0.1～2.8wt.％。