N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法

摘要

本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺杂区；两个二极管共用N区，并以两个NMOS管共用的体区作为N区；所述第一二极管的N区与所述第一NMOS管的栅连接，所述第二二极管的N区与所述第二NMOS管的栅连接。本发明通过在两个NMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。

主权项

一种N型动态阈值晶体管，其特征在于，所述N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构，其中，n为大于等于1的自然数；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，其中，第一NMOS管和第二NMOS管的沟道区均为P型本征区，且两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺杂区；第一二极管以所述第一NMOS管的沟道区作为P区，第二二极管以所述第二NMOS管的沟道区作为P区，且两个二极管共用N区，并以两个NMOS管共用的体区作为N区；所述第一二极管的P区与所述第一NMOS管的体区连接，所述第一二极管的N区与所述第一NMOS管的栅连接，所述第二二极管的P区与所述第二NMOS管的体区连接，所述第二二极管的N区与所述第二NMOS管的栅连接。