发明名称 | 一种掺硼金刚石刻蚀的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种掺硼金刚石刻蚀的方法,涉及新型电子材料工艺技术,采用超高真空磁控溅射镀膜机和直流电弧等离子体喷射CVD设备制备,首先采用磁控溅射法溅射镍纳米颗粒,在以镍纳米颗粒作为催化剂等离子刻蚀掺硼金刚石,制得目标产品。本发明的优点是:该多孔金刚石比较容易被加工成型,在新型电子功能材料走向实际应用的过程中,有非常关键的作用;该制备方法工艺简单,易于实施,靶材使用率高、生产成本低,适于大规模的推广应用。 | ||
申请公布号 | CN105887038A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
申请号 | CN201610237371.0 | 申请日期 | 2016.04.15 |
申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 李平;李嫣然;李明吉;李红姬;吴小国;杨保和 |
分类号 | C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/58(2006.01)I |
代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 刘书元 |
主权项 | 一种掺硼金刚石刻蚀的方法,其特征在于采用超高真空磁控溅射镀膜机和直流电弧等离子体喷射CVD设备制备,本步骤如下:1)在镀膜机阴极安装镍靶,在阳极固定金刚石片;2)开对向靶磁控溅射设备,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空;3)向真空室通入氩气;4)开启溅射电源,在一对镍靶上施加电流和电压,进行预溅射,等溅射电流和电压稳定;打开基片架上的挡板开始镀膜,镀膜过程中基片位置固定;5)镀膜结束后,关闭基片架上的挡板,然后关闭溅射电源,停止通入溅射气体氩气,完全打开闸门阀,继续抽真空,然后关闭真空系统,待系统冷却后向真空室充入空气,待真空室的气压与外界大气压相同时,开真空室,打开样品取出镀镍的掺硼金刚石片;6)将镀镍的掺硼金刚石片置于直流电弧等离子体喷射CVD设备的样品台支架上;7)开启配电柜,开启电气控制柜,开启水冷系统和机械泵抽真空,通入氢气和氩气,等待腔压、泵压回升。8)磁场控制开关打开,退火,通过控制样品台高度,控制温度;9)退火结束后关闭电气控制柜和配电柜,等沉积台冷却后,取出制得的目标产品。 | ||
地址 | 300384 天津市西青区宾水西道391号 |