发明名称 半导体驱动装置
摘要 本发明提供一种半导体驱动装置,具备:第一控制单元,其在流通于开关元件的第一主电极与第二主电极之间的过电流被检测出时,使所述开关元件的栅极与预定的基准电位之间导通以使被施加于所述栅极与所述第一主电极之间的控制电压降低,从而使所述开关元件断开;检测单元,其对随着所述栅极与所述第二主电极之间的反馈电容的充电或放电而产生的电流进行检测;及第二控制单元,其在所述过电流以及随着所述反馈电容的充电或放电而产生的电流被检测出时,降低所述栅极与所述基准电位之间的电阻值。
申请公布号 CN104704744B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201380049265.4 申请日期 2013.09.20
申请人 丰田自动车株式会社 发明人 小石步生;长内洋介
分类号 H03K17/082(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I 主分类号 H03K17/082(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 苏萌萌;范文萍
主权项 一种半导体驱动装置,具备:过电流检测单元,其对流通于开关元件的第一主电极与第二主电极之间的过电流进行检测;第一控制单元,其在所述过电流通过所述过电流检测单元而被检测出时,使所述开关元件的栅极与预定的基准电位之间导通以使被施加于所述栅极与所述第一主电极之间的控制电压降低,从而使所述开关元件断开;检测单元,其对随着所述栅极与所述第二主电极之间的反馈电容的充电或放电而产生的电流进行检测;及第二控制单元,其在所述过电流通过所述过电流检测单元而被检测出且随着所述反馈电容的充电或放电而产生的电流通过所述检测单元而被检测出时,降低所述栅极与所述基准电位之间的电阻值。
地址 日本爱知县