| 发明名称 | 功率器件的制备方法和功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成氧化硅层、多个硅栅结构、漏极和源极的基片上对所述硅栅结构进行图形化处理以形成辅助沟槽，所述辅助沟槽暴露出所述多晶硅层下方的指定区域的氧化层，其中，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成所述辅助沟槽的所述基片上形成介质层；对所述介质层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽所在区域下方的所述氧化层；在图形化处理介质层的所述基片上形成金属层；对所述金属层进行图形化处理，以减小所述介质层上方相应区域的金属层厚度，从而完成所述功率器件的制备。通过本发明的技术方案，减小了栅漏电容和导通损坏的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN105870016A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510031162.6 | 申请日期 | 2015.01.21 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成氧化硅层、多个硅栅结构、漏极和源极的基片上对所述硅栅结构进行图形化处理以形成辅助沟槽，所述辅助沟槽暴露出所述多晶硅层下方的指定区域的氧化层，其中，所述多个硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成所述辅助沟槽的所述基片上形成介质层；对所述介质层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽所在区域下方的所述氧化层；在图形化处理介质层的所述基片上形成金属层；对所述金属层进行图形化处理，以减小所述介质层上方相应区域的金属层厚度，从而完成所述功率器件的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||