发明名称 |
封装结构及其制法 |
摘要 |
一种封装结构及其制法,先提供具有金属层的第一承载件,再形成介电层于该金属层上,并于该介电层中形成凸出该介电层表面的多个导电柱,以及于该介电层表面上设置电子元件,之后再形成包覆层于该介电层上以包覆该多个导电柱、介电层及电子元件,最后移除部份该包覆层及该第一承载件,以令该导电柱的二端外露于该包覆层及该介电层,藉以省略现有制作导电柱时所需进行的开孔制程,以降低制作成本。 |
申请公布号 |
CN105870023A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201510027102.7 |
申请日期 |
2015.01.20 |
申请人 |
矽品精密工业股份有限公司 |
发明人 |
刘亦玮;陈彦亨;叶懋华;刘鸿汶;赖顗喆 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种封装结构的制法,其特征为,该制法包括:提供具有金属层的第一承载件;于该金属层上形成图案化的介电层,并于该介电层形成具有多个外露该金属层的开口;于该多个开口中形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱,其中,各该多个导电柱以其第一端电性连接该金属层,且各该多个导电柱的第二端凸出于该介电层的表面;设置至少一第一电子元件于该介电层上;形成包覆层于该介电层上,以令该包覆层包覆该多个导电柱、该第一电子元件及该介电层;移除部份该包覆层,以外露各该多个导电柱的第二端;以及移除该第一承载件。 |
地址 |
中国台湾台中市 |