发明名称 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法
摘要 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法,属于一种制备太阳能级高纯硅技术。该方法将工业硅与锡基合金加热至完全共熔,冷却使硅重结晶析出,结晶硅酸洗后与铝基合金加热至完全共熔,冷却使硅析出,结晶硅酸洗后进行定向凝固,铸锭、切块得到高纯多晶硅。该方法操作温度在1400℃以下,能使硼、磷杂质的含量降低到太阳能级硅的要求。
申请公布号 CN103663459B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310642445.5 申请日期 2013.12.03
申请人 中国科学院过程工程研究所 发明人 王志;胡磊
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 成金玉
主权项 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)工业硅破碎为粒度小于500微米颗粒,筛分得到150~500微米硅粉,用去离子水清洗4~8次,烘干;(2)将步骤(1)得到的工业硅粉与锡基合金混合加热,直至完全熔化为液体,将液相熔融物冷却,使硅结晶析出,经过固液相分离、破碎、酸洗、漂洗和烘干,得到重结晶硅,其中硅粉与锡基合金的重量比为1:1~1:100,加热熔化温度为300~1400℃,熔析过程的冷却速率为0.1~10℃/min;(3)将步骤(2)得到的重结晶硅与铝基合金混合加热,直至完全熔化为液体,将液相熔融物冷却,使硅结晶析出,经过固液相分离、破碎、酸洗、漂洗和烘干,得到重结晶硅,其中硅粉与铝基合金的重量比为1:0.1~1:100,加热熔化温度为600~1400℃,熔析过程的冷却速率为0.1~10℃/min;(4)将步骤(3)得到的重结晶硅进行定向凝固生长,铸锭切块,得到太阳能级多晶硅。
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