一种采用自适应网格划分和滑动窗口技术快速计算SRAM失效概率的方法

摘要

本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及考虑深亚微米工艺扰动的SRAM快速失效概率仿真计算方法。本方法中，通过在参数空间内进行椭球体变换，并采用自适应网格划分和滑动窗口方法，该方法能大幅减小采样量，获得符合精度要求的SRAM失效概率以及参数空间的失效边界信息。本发明采用精确的SPICE仿真，不依赖经验和半经验的模型；且仿真过程精度高、仿真次数少，能达到快速计算的目的；本发明方法不仅得到SRAM失效概率而且得到参数空间失效边界分布，有利于电路的优化设计。

主权项

一种采用自适应网格划分和滑动窗口技术快速计算SRAM失效概率的方法，其特征是，基于SPICE精确仿真结果进行概率统计，其包括：输入参数：仿真电路的参数空间Rⁿ、参数空间维度n、电路参数概率分布密度函数p(x)，x∈[x^‑，x⁺]，x^‑、x⁺分别是参数向量x的上下界值、SRAM存储单元电路网表、网格划分精度门限α₀、网格划分半径范围μ₁、划分均匀性参数τ、滑动窗口半径范围μ₂、网格细分数h，滑动窗口尺寸d，自适应网格采样数N₁，滑动窗口内采样数N₂，初始网格划分数k；输出结果：参数空间失效边界半径r、调用SPICE的仿真次数N、SRAM失效概率；通过下述步骤：步骤1：通过SPICE仿真利用二分法确定椭球变换系数，并将笛卡尔参数空间Rⁿ转换成椭球坐标系；步骤2：对椭球方向角的参数空间进行自适应网格划分，并通过SPICE采样仿真计算每个网格的失效半径范围；步骤3：将每个网格均匀细分为单元(cell)，在单元上采用滑动窗口法精确求解该单元的失效边界半径r，所有单元的失效边界半径r构成SRAM存储单元的失效边界，然后在每个单元上进行概率积分可得到整个SRAM的失效概率。