| 发明名称 | R-T-B系烧结磁铁 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过将磁特性的降低抑制到最小限度并且抑制晶粒生长从而具有高磁特性的R-T-B系烧结磁铁。所述R-T-B系烧结磁铁其特征在于，该R-T-B系烧结磁铁包含R-T-B系化合物作为主相颗粒，所述R-T-B系烧结磁铁中所含的Zr的含量为0.3质量％～2.0质量％，所述主相颗粒含有Zr，所述R-T-B系烧结磁铁具有：在所述主相颗粒的截面中，所述主相颗粒内的周缘部的Zr的质量浓度为所述主相颗粒内的中心部的Zr的质量浓度的70％以下的主相颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN105845305A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610076212.7 | 申请日期 | 2016.02.03 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 三轮将史;岩佐拓郎;中嶋春菜 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/057(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦 |
| 主权项 | 一种R‑T‑B系烧结磁铁，其特征在于，所述R‑T‑B系烧结磁铁包含R‑T‑B系化合物作为主相颗粒，所述R‑T‑B系烧结磁铁中所含的Zr的含量为0.3质量％～2.0质量％，所述主相颗粒含有Zr，所述R‑T‑B系烧结磁铁具有：在所述主相颗粒的截面中，所述主相颗粒内的周缘部的Zr的质量浓度为所述主相颗粒内的中心部的Zr的质量浓度的70％以下的主相颗粒。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||