| 发明名称 | 在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法，包括以下步骤：在介质基片同一平面上依次溅射大方阻电阻薄膜、小方阻电阻薄膜、粘附层薄膜和导体层薄膜；通过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影及后烘，在待图形电镀面上形成图形化光刻胶区；在上述图形化光刻胶区电镀加厚金属电极层和保护层；将图形化光刻胶剥离，然后将未电镀加厚区域的导体层薄膜和粘附层薄膜刻蚀干净，再去除所述保护金属层；光刻蚀制作小方阻薄膜电阻；光刻蚀制作大方阻薄膜电阻。本发明制作出的电路图形具有导体图形侧生长小、线条边缘陡直、图形分辨率高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105826231A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610351452.3 | 申请日期 | 2016.05.18 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 发明人 | 曹乾涛;赵海轮;孙佳文 |
| 分类号 | H01L21/70(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/70(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(101)：在介质基片同一平面上依次溅射大方阻电阻薄膜、小方阻电阻薄膜、粘附层薄膜和导体层薄膜；步骤(102)：通过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影及后烘，在待图形电镀面上形成图形化光刻胶区；步骤(103)：在上述图形化光刻胶区电镀加厚金属电极层和保护层；步骤(104)：将图形化光刻胶剥离，然后将未电镀加厚区域的导体层薄膜和粘附层薄膜刻蚀干净，再去除所述保护金属层；步骤(105)：光刻蚀制作小方阻薄膜电阻；步骤(106)：光刻蚀制作大方阻薄膜电阻。 | ||
| 地址 | 266555 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 | ||