表面发光的半导体发光二极管

摘要

本发明关于一种表面发光的半导体发光二极管（LED）其特征在：在一基板（2）与一第一阻挡层（5）之间有第一种导电类型的反射层（4），第一接触层（9）至少有一发光的表面（13），经由此表面，由一活性层（6）发出的光束由LED出来，且该发光表面利用受电荷载体照射的表面有植入异物的区域（11）在第一接触层互相隔离成不导电及不透光，且这些层的位在该发光表面（13）下方的区域，从第一接触层（9）一直到至少穿过该活性层（6）过去为止。利用受电荷载体照射的第一深植入的区域（12.1）与这些层的不发光表面（13）下方的区域隔绝成不导电及不透光。

主权项

一种表面发光的半导体发光二极管，包含一上下迭置层序列，该层序列包含：一第一导电类型的基板触点(1)层，一共享基板(2)，一该第一导电类型的第一阻挡层(5)，一发光活性层(6)，一第二导电类型的第二阻挡层(7)，一该第二导电类型的第一接触层(9)，该第一接触层(9)中设有多个由载荷子照射而彼此电性绝缘的表面植入区(11)，及多个用于接触该第一接触层(9)的导电表面触点(10)，其特征在于：该基板(2)由一半导体基板构成，该基板(2)具有一第一导电类型，或者该基板(2)为一电绝缘型基板(2.1)，或者该基板(2)由一金属或一复合材料构成，该基板(2)与该第一阻挡层(5)之间设有一该第一导电类型的反射层(4)，该第一接触层(9)具有发光表面(13)，该活性层(6)所发射的辐射经该发光表面自该半导体发光二极管射出，该第一接触层(9)中受载荷子照射的表面植入区(11)使该发光表面(13)彼此光电隔离，以及多个受载荷子照射第一深植入区(12.1)使得该第一接触层(9)、该第二阻挡层(7)、该活性层(6)、该第一阻挡层(5)在该发光表面(13)下方自该第一接触层(9)出发至少延伸至贯穿该活性层(6)的区域与该第一接触层(9)、该第二阻挡层(7)、该活性层(6)、该第一阻挡层(5)不位于该发光表面(13)下方的区域光电隔离。