| 发明名称 | 半导体器件的隔离 | ||
| 摘要 | 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103681454B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201210519773.1 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许文义;高敏峰;刘人诚;杨敦年;许慈轩;王文德 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：隔离区域，位于衬底中，所述隔离区域包括具有第一导电性的第一类型掺杂物；第一源极/漏极区域，与所述隔离区域横向隔离开，所述第一源极/漏极区域具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及介电材料，位于所述隔离区域以及所述衬底的顶面上方并且横向延伸到所述第一源极/漏极区域为止。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||