| 发明名称 | FINFET装置的设计和集成 | ||
| 摘要 | 在所描述的示例中，包含finFET(114、116)的集成电路(100)可以被形成有在绝缘氧化物(110)上延伸的鳍(104)。第一finFET(114)和第二finFET(116)具有相差至少25％的暴露鳍高度(118、120)。暴露鳍高度(118、120)是鳍(104)的在绝缘氧化物(110)上的侧壁的垂直高度。栅极(112)被形成在鳍(104)上。在一个版本中，所述第一finFET(114)的鳍高度(118)是少于所述第二finFET(116)的鳍高度(120)；与所述第一finFET(114)和所述第二finFET(116)的鳍(104)相邻的所述绝缘氧化物(110)的厚度(122)是大体上相等的。鳍高度(124、126)是鳍(104)的顶部的在基板(102)上的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN105814672A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201480067898.2 | 申请日期 | 2014.12.12 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | R·金姆;K·利姆;Y·S·崔 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵志刚;赵蓉民 |
| 主权项 | 一种集成电路，其包括：基板，其包括半导体材料；绝缘氧化物，其设置在所述基板上；第一鳍式场效应晶体管，即第一finFET，所述第一finFET包括：在所述基板上设置的半导体材料的第一鳍，其中所述绝缘氧化物被设置为与所述第一鳍相邻，所述第一鳍具有第一暴露鳍高度；以及第一栅极，其被设置在所述第一鳍上并且沿所述第一鳍的侧壁向下延伸；以及第二finFET，所述第二finFET包括：在所述基板上设置的半导体材料的第二鳍，其中所述绝缘氧化物被设置为与所述第二鳍相邻，所述第二鳍具有第二暴露鳍高度，使得所述第一暴露鳍高度和所述第二暴露鳍高度的高度相差至少25％；以及第二栅极，其被设置在所述第二鳍上并且沿所述第二鳍的侧壁向下延伸。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||