发明名称 |
石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法 |
摘要 |
石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法。根据电磁线圈的具体应用要求,选择合适的基底材料(这些材料可以是镍、铜、二氧化硅、PET中的一种或两种以上的组合);将基底材料按需要加工成合适的形状,例如圆形、矩形、多边形;根据所用石墨烯的亲/疏水性,选择与其性能相反的疏/亲水涂料,在基底材料的表面丝印与线圈图形相反的图案——线圈的绝缘空间;将制作好的基底材料置于CVD反应室内,进行CVD成膜;根据CVD反应的实际工况和对石墨烯膜层厚度的要求,控制反应时间,得到满足设计要求的石墨烯膜;去除涂料;采用导电性能良好的金属(铜或银)在制作完成的石墨烯线圈的两个端点制作接线端子,形成完整的石墨烯线圈。 |
申请公布号 |
CN105779963A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610268863.6 |
申请日期 |
2016.04.27 |
申请人 |
北京晶晶星科技有限公司 |
发明人 |
王勇;杨晓晶 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法。其特征是:选择合适的基底材料(这些材料可以是镍、铜、二氧化硅、PET中的一种或两种以上的组合),根据所用石墨烯的亲/疏水性,选择与其性能相反的疏/亲水涂料,在基底材料的表面丝印与线圈图形相反的图案——线圈的绝缘空间;将制作好的基底材料置于CVD反应室内,进行CVD成膜;根据CVD反应的实际工况和对石墨烯膜层厚度的要求,控制反应时间,得到满足设计要求的石墨烯膜;去除涂料,形成完整的石墨烯线圈;采用导电性能良好的金属(铜或银)在制作完成的石墨烯线圈的两个端点制作接线端子。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地信息路26号八层0805室 |