发明名称 石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法
摘要 石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法。根据电磁线圈的具体应用要求,选择合适的基底材料(这些材料可以是镍、铜、二氧化硅、PET中的一种或两种以上的组合);将基底材料按需要加工成合适的形状,例如圆形、矩形、多边形;根据所用石墨烯的亲/疏水性,选择与其性能相反的疏/亲水涂料,在基底材料的表面丝印与线圈图形相反的图案——线圈的绝缘空间;将制作好的基底材料置于CVD反应室内,进行CVD成膜;根据CVD反应的实际工况和对石墨烯膜层厚度的要求,控制反应时间,得到满足设计要求的石墨烯膜;去除涂料;采用导电性能良好的金属(铜或银)在制作完成的石墨烯线圈的两个端点制作接线端子,形成完整的石墨烯线圈。
申请公布号 CN105779963A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201610268863.6 申请日期 2016.04.27
申请人 北京晶晶星科技有限公司 发明人 王勇;杨晓晶
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 石墨烯电磁线圈的CVD成膜方法。其特征是:选择合适的基底材料(这些材料可以是镍、铜、二氧化硅、PET中的一种或两种以上的组合),根据所用石墨烯的亲/疏水性,选择与其性能相反的疏/亲水涂料,在基底材料的表面丝印与线圈图形相反的图案——线圈的绝缘空间;将制作好的基底材料置于CVD反应室内,进行CVD成膜;根据CVD反应的实际工况和对石墨烯膜层厚度的要求,控制反应时间,得到满足设计要求的石墨烯膜;去除涂料,形成完整的石墨烯线圈;采用导电性能良好的金属(铜或银)在制作完成的石墨烯线圈的两个端点制作接线端子。
地址 100085 北京市海淀区上地信息路26号八层0805室